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（中央社记者张建中新竹18日电）国际内存研讨会(IMW)今年5月首度在台湾举办，会中将讨论三维储存型快闪存储器(3D NAND)等先进内存技术。

IMW前身为非挥发性半导体内存研讨会(NVSMW)，这一营利组织于1976年举办首次会议。为因应全球内存技术快速发展，2008年起与国际内存技术与设计研讨会(ICMTD)合并成为IMW。

IMW平均每年有超过80篇以上的投稿论文，约35篇会在会议中以口头方式发表，论文主题涵盖元件物理、硅制程、产品测试和新技术。

其中，新技术包括新结构、新方法、程式逻辑、内存单元设计、积体电路、固态硬盘、记忆卡、可靠度和新应用等。近来每年有来自全球250人与会，IMW已成微电子及半导体业年度盛会之一。

今年IMW将首度移师台湾，由国际电机电子工程师学会中华民国分会(IEEE Taipei Section)、电子元件学会台北分会(IEEE EDS Taipei Chapter)和旺宏协办。